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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380
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伯东代理射频离子源 RFICP 380
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准大口径射频离子源 RFICP 380上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜
的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜
伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 RFICP380
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伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备 VO2 薄膜
辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 制备 IFBA 芯块 ZrB2 涂层
某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射沉积 NSN70 隔热膜
某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗
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